据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子与SK海力士两家DRAM厂商正筹划在2027年第二季度将八层堆叠（8Hi）HBM4内存堆栈推入全面量产阶段，并向英伟达供货。这一时间节点意味着两家原厂的HBM4产品路线将在现有基础上作出调整。

目前，三星电子与SK海力士产出的HBM4内存以容量更大的12Hi版本为主。层数增加虽提升了单堆栈容量，但也带来两方面代价：单一堆栈内DRAM Die数量更多，在同等带宽下成本更高、所需堆栈数量更少；同时堆叠层数越高，良率下滑的压力也越明显。

报道称，英伟达早在2026年第三季度就8Hi HBM的供应事宜与两家原厂进行了认真讨论。此次计划变更的主要动因，是英伟达考虑在Rubin Ultra和标准Rubin中应用8Hi HBM4(E)，以优化整体供应。

另据IT之家了解，英伟达已将HGX Vera Rubin NVL8和HGX Rubin NVL8的规格调整为系统合计2TB HBM4，这一配置应对应8Hi 32GB的HBM4堆栈。若上述量产计划落地，HBM4的堆叠层数选择将在2027年出现新的供应格局。