据路透社10月15日报道，SK海力士正与美国政府展开协商，提出以在美国本土新建NAND闪存工厂为条件，换取美方批准其向中国大连工厂引入更多美国制造的半导体设备。两名知情人士透露，SK海力士的设想是通过提升中国工厂的产能，为美国新厂的建设提供资金，并逐步扩大其在美国的生产规模。

这一动向的背景是，美国政府正持续推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂，以增强本土制造能力并创造就业。与此同时，人工智能与云计算数据中心的需求增长带动全球存储芯片供应趋紧，NAND闪存价格持续上涨，也促使相关厂商重新评估扩产计划。

具体来看，SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域安装更多设备，用于生产NAND闪存。该厂区名为Mod B，于2023年建成，但因当时存储市场低迷，设备安装工作未能完成。目前该区域已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具。大连工厂使用的半导体设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国厂商。Solidigm已提交出口许可证申请，计划采购额外设备用于该区域。

SK海力士向路透社表示，Mod B的设备安装工作正在与美国政府密切协商，并在获得授权的前提下进行。该公司同时强调，目前并未寻求扩大大连Mod B的产能。Solidigm则拒绝对此置评。